HMC634详细参数_参考价格_HMC634 PDF资料_Analog Devices / Hittite

无线和射频半导体

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100	¥397.8052	39780.52

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
类型	Driver Amplifier
技术	GaAs
工作频率	20 GHz
P1dB - 压缩点	23 dBm
增益	22 dB
工作电源电压	5 V
NF—噪声系数	7.5 dB
OIP3 - 三阶截点	31 dBm
工作电源电流	180 mA
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC634G
封装	Gel Pack
频率范围	5 GHz to 20 GHz
商标	Analog Devices / Hittite
通道数量	1 Channel
输入返回损失	12 dB
Pd-功率耗散	1.07 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	25
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量	3 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
ADF4159CCPZ	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	锁相环 - PLL IC 13 GHz Frac-N Direct Modulation	1:¥120.8648 10:¥109.6552 25:¥103.0447 50:¥99.2818	参考库存:5971
ADF7242BCPZ	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频收发器 Lo Pwr IEEE Zero-IF 2.4 GHz	1:¥38.5782 10:¥34.4198 25:¥30.962 50:¥29.5834	参考库存:6403
EL4585CSZ	Renesas / Intersil	无线和射频半导体	PDF数据手册	锁相环 - PLL EL4585CSZ HORIZONTAL GENLOCK	1:¥83.9138 10:¥77.1451 25:¥73.9924 100:¥65.1558	参考库存:6105
BFP193E6327HTSA1	Infineon Technologies	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR	1:¥3.6838 10:¥2.6103 100:¥1.1978 1,000:¥0.92208 3,000:¥0.78422	参考库存:35167
BF513,215	NXP Semiconductors	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 TAPE7 FET-RFSS	1:¥6.3732 10:¥5.65 25:¥5.1076 100:¥4.4748 3,000:¥2.4408	参考库存:20839