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无线和射频半导体
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SS9018FBU

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数量单价合计
1
¥1.5368
1.5368
10
¥1.03734
10.3734
100
¥0.43844
43.844
1,000
¥0.29945
299.45
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
SS9018
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
54
集电极—发射极最大电压 VCEO
15 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极连续电流
50 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92
封装
Bulk
集电极—基极电压 VCBO
30 V
直流电流增益 hFE 最大值
198
高度
4.7 mm
长度
4.7 mm
工作频率
1100 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
3.93 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
增益带宽产品fT
1100 MHz
最大直流电集电极电流
0.05 A
Pd-功率耗散
400 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
10000
子类别
Transistors
零件号别名
SS9018FBU_NL
单位重量
179 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频前端 418MHz 6x6 FEM w/PA bypass
1:¥25.5832
10:¥23.052
25:¥20.8259
50:¥19.7524
4,500:¥12.7577
参考库存:15436
无线和射频半导体
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2:¥1,311.4328
6:¥1,292.9121
10:¥1,255.9498
26:¥1,191.3251
参考库存:5098
无线和射频半导体
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1:¥2.7685
10:¥2.1244
100:¥1.1526
1,000:¥0.86784
15,000:¥0.63732
参考库存:754910
无线和射频半导体
射频前端 GPS/GNSS Front-End Amplifier
1:¥25.8205
10:¥23.4362
25:¥18.7467
50:¥17.8314
参考库存:7857
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 TRANS HV TAPE-7
1:¥2.5312
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.41471
参考库存:16989
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