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无线和射频半导体
HFA3101BZ96参考图片

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HFA3101BZ96

  • Renesas / Intersil
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  • 射频(RF)双极晶体管 TXARRAY NPN GILBERT CELL 8W MILEL
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数量单价合计
1
¥73.0771
73.0771
10
¥66.0824
660.824
25
¥63.0088
1575.22
100
¥54.7146
5471.46
2,500
¥39.9568
99892
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Renesas Electronics
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
HFA3101
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
集电极—发射极最大电压 VCEO
8 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5.5 V
集电极连续电流
0.03 A
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
配置
Hex
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
12 V
直流电流增益 hFE 最大值
40 at 10 mA at 3 V
高度
1.5 mm (Max)
长度
5 mm (Max)
工作频率
10000 MHz (Typ)
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
4 mm (Max)
商标
Renesas / Intersil
增益带宽产品fT
10000 MHz (Typ)
最大直流电集电极电流
0.03 A
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
72 mg
商品其它信息
优势价格,HFA3101BZ96的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频发射器 Complete 450MHz Quadrature Txr
1:¥74.2297
10:¥70.0826
25:¥56.0141
50:¥53.2456
2,500:¥34.4198
参考库存:26774
NJR
无线和射频半导体
射频放大器 Ultra Low Pwr Op Amp GNSS 2.8V 1.8V
1:¥5.2206
10:¥4.6782
25:¥3.955
50:¥3.5482
5,000:¥3.164
参考库存:26779
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD
1:¥386.7312
5:¥378.0528
10:¥363.295
25:¥351.543
参考库存:26784
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 Small Sig Transistor 2.0x2.1mm Flat lead
6,000:¥0.32318
9,000:¥0.27685
24,000:¥0.26103
参考库存:26789
无线和射频半导体
射频发射器 SX1223I073TRT--Tape and Reel
1:¥24.747
10:¥19.9784
100:¥18.1365
250:¥16.4415
3,000:¥11.4469
参考库存:26794
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