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无线和射频半导体
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A2T08VD021NT1

  • NXP Semiconductors
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T08VD021N/HQFN24///REEL 13 Q2 DP
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1,000
¥95.0556
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
80 mA
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 105 V
增益
19.1 dB
输出功率
2 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PQFN-24
封装
Reel
工作频率
728 MHz to 960 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
零件号别名
935361777528
商品其它信息
优势价格,A2T08VD021NT1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频发射器 300-450 MHz ASK/FSK Transmitter
1:¥23.9786
10:¥22.826
25:¥18.7467
250:¥16.0573
参考库存:5612
无线和射频半导体
射频放大器 WBand lo Noise amp SMT w/AGC, 2 - 20 GHz
1:¥1,104.1908
5:¥1,088.5968
10:¥1,057.4766
25:¥1,003.0671
参考库存:5429
无线和射频半导体
射频检测器 RMS pow Detector SMT, DC - 3.9 GHz
1:¥76.9982
10:¥69.6193
25:¥66.3875
100:¥57.63
500:¥50.172
参考库存:5961
IDT
无线和射频半导体
射频混合器 RF to IF Dual Down Cnvtr Mix 9dB Gain
1:¥103.3498
10:¥93.903
25:¥86.9083
50:¥84.524
参考库存:7773
无线和射频半导体
射频放大器 28-38 GHz .4W GaN Amplifier
100:¥284.308
300:¥258.9508
参考库存:6355
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