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无线和射频半导体
QPL9065SR参考图片

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QPL9065SR

  • Qorvo
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  • 射频放大器 .45-3.8GHz NF .55dB Gain 37.5dB
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数量单价合计
1
¥73.3031
73.3031
25
¥56.1723
1404.3075
100
¥43.8779
4387.79
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频放大器
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SMT-16
类型
Low Noise Amplifier
技术
Silicon
工作频率
450 MHz to 3.8 GHz
P1dB - 压缩点
20.8 dBm
增益
37.5 dB
工作电源电压
3.3 V to 5.25 V
NF—噪声系数
0.55 dB
测试频率
1.95 GHz
OIP3 - 三阶截点
36 dBm
工作电源电流
160 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 105 C
系列
QPL
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Qorvo
通道数量
1 Channel
开发套件
QPL9065PCB401
输入返回损失
12.5 dB
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
100
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
商标名
E-pHEMT
商品其它信息
优势价格,QPL9065SR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 40W-28V-500MHz PP
50:¥700.0915
100:¥694.3285
参考库存:32777
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,121.864
参考库存:32782
无线和射频半导体
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2,000:¥27.12
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无线和射频半导体
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2,500:¥86.671
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无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER TRANS
400:¥88.592
800:¥82.9081
1,200:¥73.9246
参考库存:32797
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