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无线和射频半导体
PXAC203302FV-V1-R0参考图片

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PXAC203302FV-V1-R0

  • Wolfspeed / Cree
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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库存:32,782(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥1,121.864
280466
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
88 mOhms
增益
16 dB
输出功率
330 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37275-4
封装
Reel
工作频率
1880 MHz to 2025 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格,PXAC203302FV-V1-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
PIN 二极管 Cj=.10pF 100Volt -65C +175C
100:¥11.3678
300:¥9.9892
500:¥9.379
1,000:¥7.684
参考库存:3256
无线和射频半导体
RF 开关 IC CMOS SWITCH
1:¥8.1473
10:¥6.9495
100:¥5.3449
500:¥4.7234
3,000:¥3.2996
参考库存:10333
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥2.2261
100:¥1.2091
1,000:¥0.90626
15,000:¥0.66896
参考库存:76760
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dB
50:¥232.667
100:¥201.2417
250:¥189.1846
500:¥177.8055
参考库存:2012
无线和射频半导体
射频放大器 InGaP HBT Gain Block Chip, DC - 10 GHz
50:¥163.8952
100:¥155.7592
250:¥148.5272
500:¥141.3856
参考库存:2264
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