您好!欢迎来到隆乾胜芯城 登录 注册

产品分类

无线和射频半导体
HMC606LC5TR参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

HMC606LC5TR

  • Analog Devices / Hittite
  • 最新
  • 射频放大器 WBand lo Phase Noise amp SMT, 2 - 18 GHz
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • *联系人:
  • *电话:
  • QQ:
  • *邮箱:
 公司名:  微信:
库存:4,328(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥962.3419
962.3419
5
¥944.8269
4724.1345
10
¥916.8594
9168.594
25
¥884.3493
22108.7325
100
¥851.7714
85177.14
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频放大器
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
类型
Ultra-Low Phase Noise
技术
GaAs InGaP
工作频率
2 GHz to 18 GHz
P1dB - 压缩点
15 dBm
增益
13.5 dB
工作电源电压
5 V
NF—噪声系数
5 dB
OIP3 - 三阶截点
27 dBm
工作电源电流
180 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 85 C
系列
HMC606G
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Analog Devices / Hittite
通道数量
1 Channel
输入返回损失
16 dB
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
1.06 W
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
100
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
商品其它信息
优势价格,HMC606LC5TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt
10:¥301.0546
参考库存:5993
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC MKW41Z512VHT4/HVQFN48R///TRAY MULTIPLE DP BAKEABLE
1:¥50.3302
10:¥45.4938
25:¥40.8834
100:¥37.6516
参考库存:29815
无线和射频半导体
射频放大器 DC-4500MHz NF 3.7dB P1dB 16.3 dBm
1:¥22.2836
25:¥16.7466
100:¥13.1419
250:¥10.7576
3,000:¥8.3733
参考库存:13062
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥1,315.1166
10:¥1,273.0128
25:¥1,230.9768
50:¥994.7729
参考库存:6004
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Flex Gecko SoC QFN68 dual 20 dB proprietary 1024 kB 256 kB (RAM) 46GPIO SoC
1:¥70.3086
10:¥69.0769
25:¥67.7774
50:¥66.4666
参考库存:6196
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市隆乾胜科技有限公司

电话:0755-82331103

手机:13048971103

传真:0755-82331102

Email:1531762882@qq.com

Q Q:

地址:深圳市福田区南园路66号佳兆业中心B座2F


微信联系我们

Copyright © 2010-2021 深圳市隆乾胜科技有限公司 粤ICP备2021106032号