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无线和射频半导体
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HMC-ALH244

  • Analog Devices
  • 最新
  • 射频放大器 GaAs HEMT WBand lo Noise amp, 24-40 GHz
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频放大器
发货限制:
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
类型
RF Amplifier
技术
GaAs
工作频率
40 GHz
P1dB - 压缩点
13 dBm
增益
12 dB
工作电源电压
4 V
NF—噪声系数
3.5 dB
测试频率
-
OIP3 - 三阶截点
-
工作电源电流
45 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 85 C
系列
HMC-ALH244
封装
Gel Pack
频率范围
24 GHz to 40 GHz
商标
Analog Devices
通道数量
1 Channel
输入返回损失
15 dB
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
25
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
商品其它信息
优势价格,HMC-ALH244的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU PCF7953VTT/TSSOP28//C1AC1900/REEL 13 Q1 NDP
2,500:¥26.1256
参考库存:30225
IDT
无线和射频半导体
调节器/解调器 Broadband ZIF/CIF I/Q Mod LTE MIMO
75:¥81.2244
150:¥76.6818
300:¥69.9244
525:¥65.4722
1,050:¥60.0143
参考库存:30230
无线和射频半导体
RFID应答器 QC MOISTURE EPC=03
1,000:¥36.3408
2,000:¥35.0413
参考库存:30235
无线和射频半导体
射频收发器 TXRX SubG +13/-116dBm
2,500:¥12.0684
参考库存:30240
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥500.5335
参考库存:30245
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