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无线和射频半导体

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BF 999 E6327

  • Infineon Technologies
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Triode
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数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.825
28.25
100
¥1.7289
172.89
1,000
¥1.3334
1333.4
3,000
¥1.1413
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
30 A
Vds-漏源极击穿电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
1 mm
长度
2.9 mm
系列
BF999
类型
RF Small Signal MOSFET
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
6.5 V
零件号别名
BF999E6327HTSA1 BF999E6327XT SP000010985
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，BF 999 E6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ADMV1009AEZ
Analog Devices
无线和射频半导体
上下转换器 13/15GHz GaAs UpConverter
1:¥485.5497
5:¥470.3399
10:¥461.266
25:¥440.7565
参考库存:3970
NRF24L01P-R7
Nordic Semiconductor
无线和射频半导体
射频收发器 SNGL-CHP ULTR-LW POW 2.4GHz TRNSCVR
1:¥25.8205
10:¥20.7468
100:¥18.9049
250:¥17.063
1,500:¥12.2153
参考库存:44362
MAAP-010168-000000
MACOM
无线和射频半导体
射频放大器 500-3000MHz 50 ohm Gain 24dB 12 Watt
1:¥2,151.52
5:¥2,043.944
参考库存:3924
EZR32HG220F32R68G-B0
Silicon Labs
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 32 kB M0+, +20 dBm EZRadioPRO, QFN48 wireless MCU
1:¥27.2782
10:¥26.7358
25:¥26.2838
50:¥25.8205
参考库存:5706
HMC392ALC4
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频放大器 lo Noise amp SMT 3.5-7.0 GHz
1:¥551.4061
5:¥542.7164
10:¥523.8906
25:¥506.6016
参考库存:4063
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