HMC245AQS16E详细参数_参考价格_HMC245AQS16E PDF资料_Analog Devices

无线和射频半导体

图片仅供参考，请参阅产品规格

购买、咨询产品请填写询价信息

询价型号*	数量*	批号	封装	品牌	其它要求

请确认联系方式，3分钟内即可给您回复

公司名：微信：

库存：2,486(价格仅供参考)

询价数量：

加入询价单立即询价

相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	RF 开关 IC
RoHS	是
开关数量	Triple
开关配置	SP3T
工作频率	DC to 3.5 GHz
介入损耗	1.1 dB
关闭隔离—典型值	32 dB
最大工作温度	+ 85 C
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	QSOP-16
封装	Cut Tape
系列	HMC245A
技术	GaAs
商标	Analog Devices
空闲时间—最大值	150 ns
运行时间—最大值	150 ns
高控制电压	2 V to 5 V
最小工作温度	- 40 C
工作电源电流	2.2 mA
产品类型	RF Switch ICs
工厂包装数量	50
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
电源电压-最大	5 V
单位重量	288 mg

商品其它信息

优势价格，HMC245AQS16E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
HMC362	Analog Devices / Hittite	无线和射频半导体	PDF数据手册	预定标器 InGaP HBT Divide-by-4 Chip, DC - 11 GHz	暂无价格	参考库存:23481
HMC432E	Analog Devices / Hittite	无线和射频半导体	PDF数据手册	预定标器 InGaP HBT Divide-by-2 SMT, DC - 8 GHz	暂无价格	参考库存:23486
TGF2955	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 40W 32V GaN P3dB @ 3GHz 46.5dBm	暂无价格	参考库存:23491
HMC8400	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 2-28 GHz LNA	暂无价格	参考库存:23496
HMC566LP4ETR	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 LNA, 29-36GHz	暂无价格	参考库存:23501