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无线和射频半导体
BFP 540FESD H6327参考图片

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BFP 540FESD H6327

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥4.3844
4.3844
10
¥3.6386
36.386
100
¥2.2261
222.61
1,000
¥1.7176
1717.6
3,000
¥1.4577
4373.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFP540
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
50
集电极—发射极最大电压 VCEO
4.5 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1 V
集电极连续电流
80 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSFP-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
30 GHz
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
250 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP540FESDH6327XTSA1 BFP54FESDH6327XT SP000745300
单位重量
1.870 mg
商品其它信息
优势价格,BFP 540FESD H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
锁相环 - PLL PHASE LOCKED LOOP
1:¥33.4254
10:¥30.0467
100:¥24.5888
250:¥23.052
参考库存:6546
无线和射频半导体
射频前端 39GHz 5G FEM, single channel
1:¥1,229.44
25:¥1,052.708
100:¥923.1535
参考库存:3153
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Bluetooth SoC QFN48 2.4 G 19.5 dB BLE multi-protocol 256 kB 32 kB (RAM) 31GPIO
1:¥45.3356
10:¥44.5672
25:¥43.7197
50:¥42.036
参考库存:4915
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Ultra-Lo Noise PLLatinum Freq Synth
1:¥92.2871
10:¥84.8291
25:¥80.456
100:¥71.6872
1,000:¥58.4775
参考库存:6677
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 100MA 12V FT=10G
1:¥4.3844
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
3,000:¥1.4577
参考库存:15519
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