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无线和射频半导体
PTFB092707FH-V1-R250参考图片

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PTFB092707FH-V1-R250

  • Wolfspeed / Cree
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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库存:33,528(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥848.0085
212002.125
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
增益
19 dB
输出功率
270 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37288L-4/2
封装
Reel
工作频率
925 MHz to 960 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格,PTFB092707FH-V1-R250的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 Broadband Gain Block
1:¥23.6622
10:¥22.2045
25:¥17.7523
50:¥16.9048
2,500:¥10.9836
参考库存:18793
无线和射频半导体
射频放大器 DOCSIS 3.0 Upstream Amplifier
1:¥20.4417
25:¥14.5996
250:¥13.6052
1,000:¥12.2944
参考库存:18370
无线和射频半导体
RF 开关 IC SP4T Switch 0- 8 GHz
1:¥55.7881
10:¥50.4093
50:¥48.1041
100:¥41.7196
参考库存:5077
无线和射频半导体
射频接收器 Precision, Ultra-Fast, Low IQ Overvoltage Protector with OVLO 4.7V
1:¥11.2209
10:¥10.5994
25:¥8.4524
50:¥8.0682
2,500:¥5.0624
参考库存:28624
无线和射频半导体
射频放大器 791/821MHz Gain 30dB Pout 24.5dBm
1:¥49.4036
10:¥45.3356
25:¥41.1885
50:¥37.1092
2,500:¥25.5154
参考库存:16346
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