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无线和射频半导体
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BFU550R

  • NXP Semiconductors
  • 最新
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
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数量单价合计
1
¥4.1471
4.1471
10
¥3.4352
34.352
100
¥2.1018
210.18
1,000
¥1.6159
1615.9
3,000
¥1.3786
4135.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Wideband
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
集电极—发射极最大电压 VCEO
16 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
15 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT143B-4
封装
Cut Tape
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
24 V
直流电流增益 hFE 最大值
200
工作频率
900 MHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
类型
Wideband RF Transistor
商标
NXP Semiconductors
增益带宽产品fT
11 GHz
最大直流电集电极电流
80 mA
Pd-功率耗散
450 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
934067704215
单位重量
9 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AD8315ACPZ-REEL7
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10:¥101.5079
25:¥97.2817
100:¥85.6766
500:¥76.2298
参考库存:28006
MRF09030LR1
Advanced Semiconductor, Inc.
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射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥576.30
10:¥480.25
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