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无线和射频半导体
D2012UK参考图片

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D2012UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-28V-1GHz SE
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数量单价合计
1
¥579.2945
579.2945
10
¥511.5284
5115.284
25
¥453.9662
11349.155
50
¥406.5627
20328.135
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
4 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
10 dB
输出功率
10 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DP
配置
Single
高度
5.08 mm
长度
18.92 mm
工作频率
1 GHz
类型
RF Power MOSFET
宽度
6.35 mm
商标
Semelab / TT Electronics
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
42 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格,D2012UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RF 开关 IC 5-6000MHz SPDT IL .25dB Iso 39dB
1:¥13.673
25:¥12.2944
100:¥11.0627
250:¥9.9892
2,500:¥8.0682
参考库存:15482
无线和射频半导体
锁相环 - PLL BBG ECL 50 TO 800MHZ CLOCK
1:¥83.5296
10:¥76.7609
25:¥73.6082
100:¥64.8507
参考库存:3354
无线和射频半导体
射频放大器 10W 2-STAGE HYBRID GaN Transistor
1:¥1,270.7754
2:¥1,235.6663
5:¥1,207.3824
10:¥1,172.1151
参考库存:3396
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Intg Integer-N VCO Out Freq 65-400
1:¥53.0987
10:¥47.799
25:¥44.9514
50:¥42.262
1,500:¥28.9732
参考库存:8308
无线和射频半导体
射频前端 2.4GHz 802.11b/g/n FEM
1:¥98.5812
25:¥78.3768
100:¥63.3139
参考库存:3945
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