NJG1138HA8-TE1详细参数_参考价格_NJG1138HA8-TE1 PDF资料_NJR

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	NJR
产品种类	射频放大器
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	USB-6-A8
类型	Low Noise Amplifier
技术	GaAs
工作频率	880 MHz
P1dB - 压缩点	- 8.5 dBm
增益	16 dB
工作电源电压	2.8 V
NF—噪声系数	1.4 dB
工作电源电流	10 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	NJG1138
封装	Reel
商标	NJR
Pd-功率耗散	150 mW
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	3000
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
商标名	NJG113

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
F1956NBGI	IDT	无线和射频半导体	PDF数据手册	衰减器 7-Bit 0.25dB WideB 31.5dB Attenuator	1:¥57.2458 10:¥52.4772 25:¥47.6408 50:¥45.2565	参考库存:5392
1SV271TPH3F	Toshiba	无线和射频半导体	PDF数据手册	PIN 二极管 VARICAP DIODE	1:¥4.1471 10:¥2.7233 100:¥1.5255 1,000:¥1.10627 3,000:¥0.95259	参考库存:13604
HMC634LC4	Analog Devices / Hittite	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 SMT Driver amp, 5 - 20 GHz	1:¥484.9395 5:¥470.2608 10:¥455.5821 25:¥440.9034	参考库存:1681
HMC3653LP3BETR	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 Linear Driver, Gain Block	1:¥198.4732 5:¥187.5687 10:¥183.0374 25:¥164.5167 500:¥141.928	参考库存:3258
1SV263-TL-E	ON Semiconductor	无线和射频半导体	PDF数据手册	PIN 二极管 PIN DI SINGLE RS 4 OHM	1:¥4.0002 10:¥3.3561 100:¥2.0453 1,000:¥1.582 3,000:¥1.356	参考库存:18115