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无线和射频半导体

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MRF10120

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1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频(RF)双极晶体管
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
20
集电极—发射极最大电压 VCEO
55 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3.5 V
集电极连续电流
15 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
配置
Single
封装 / 箱体
355C-2
工作频率
1.215 GHz
类型
RF Bipolar Power
商标
MACOM
Pd-功率耗散
380 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
20
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，MRF10120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI4704-D60-GUR
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