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无线和射频半导体
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MRF8S7170NR3

  • NXP / Freescale
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 700MHz 50W OM780-2
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1
¥643.3768
643.3768
5
¥630.9355
3154.6775
10
¥610.1096
6101.096
25
¥584.2891
14607.2275
250
¥523.8906
130972.65
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
70 V
增益
19.4 dB
输出功率
50 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-780-2
封装
Reel
配置
Single
工作频率
728 MHz to 768 MHz
系列
MRF8S7120N
商标
NXP / Freescale
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
零件号别名
935317133528
单位重量
3.081 g
商品其它信息
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