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无线和射频半导体
ARF1505参考图片

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ARF1505

  • Microchip / Microsemi
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
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数量单价合计
1
¥1,510.0642
1510.0642
2
¥1,473.7121
2947.4242
5
¥1,452.1178
7260.589
10
¥1,431.5292
14315.292
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
25 A
Vds-漏源极击穿电压
1.2 kV
增益
17 dB
输出功率
750 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Box
工作频率
40 MHz
工作温度范围
- 55 C to + 175 C
类型
RF Power MOSFET
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
5.5 mS
通道模式
Enhancement
下降时间
13 ns
Pd-功率耗散
750 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
上升时间
5 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
商品其它信息
优势价格,ARF1505的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥3.4578
10:¥2.8476
100:¥1.7402
1,000:¥1.3447
3,000:¥1.1413
参考库存:33575
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥599.352
10:¥499.46
25:¥449.514
50:¥399.568
参考库存:4362
无线和射频半导体
RF 开关 IC DC-2.5GHz ISO 25dB IL .5dB
1:¥20.5886
10:¥16.6788
100:¥13.3679
500:¥11.6842
3,000:¥8.7575
参考库存:22254
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 SS VHF XSTR SPCL TR
1:¥3.2318
10:¥2.4408
100:¥1.3221
1,000:¥0.99101
3,000:¥0.85315
9,000:¥0.79891
参考库存:32576
无线和射频半导体
射频前端 Ultrasound Config Transmit Beamformer
1:¥111.3389
10:¥102.3554
25:¥97.0444
100:¥86.445
250:¥82.2188
参考库存:4633
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