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无线和射频半导体
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BLW86

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数量单价合计
1
¥599.352
599.352
10
¥499.46
4994.6
25
¥449.514
11237.85
50
¥399.568
19978.4
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
5
集电极—发射极最大电压 VCEO
35 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
5 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
SOT-123
封装
Tray
工作频率
175 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
最大直流电集电极电流
12 A
Pd-功率耗散
60 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，BLW86的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
GC4210-15
Microchip / Microsemi
无线和射频半导体
PIN 二极管
35:¥464.882
50:¥458.6557
100:¥433.92
参考库存:33735
QPM2637TR7
Qorvo
无线和射频半导体
射频前端 9-10.5GHz GaN Transmit/Receive Module
750:¥700.939
参考库存:33740
GC4603-172
Microchip / Microsemi
无线和射频半导体
PIN 二极管
25:¥1,563.694
50:¥1,528.5736
参考库存:33745
SL3S1215FUD2/HAA
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
RFID应答器 SL3S1215FUD2/UNCASED//HA/WAFER SAWN FFC NDP SmallP
220,000:¥0.15368
参考库存:33750
PTFB210801FA-V1-R250
Wolfspeed / Cree
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥383.6576
参考库存:33755
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