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无线和射频半导体
MRFE6VP5600HR5参考图片

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MRFE6VP5600HR5

  • NXP / Freescale
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H
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数量单价合计
1
¥1,431.5292
1431.5292
5
¥1,399.6406
6998.203
10
¥1,370.9838
13709.838
25
¥1,350.7681
33769.2025
50
¥1,301.6696
65083.48
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
130 V
增益
25 dB
输出功率
600 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Dual
工作频率
1.8 MHz to 600 MHz
系列
MRFE6VP5600
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
Pd-功率耗散
1.667 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
零件号别名
935310538178
单位重量
13.155 g
商品其它信息
优势价格,MRFE6VP5600HR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 2.3-2.4GHz 4W Small Cell PAE 36.5%
1:¥85.5184
10:¥77.3033
25:¥71.2352
50:¥67.1559
2,500:¥49.4036
参考库存:15363
无线和射频半导体
射频收发器 2.4GHZ ZigBee Transceiver
1:¥26.5889
10:¥26.2047
25:¥24.2046
5,000:¥24.2046
参考库存:27350
无线和射频半导体
射频放大器 .1-2.7GHz GaAs Gain 14.4dB
1:¥59.9352
10:¥56.9407
100:¥52.4772
250:¥46.4882
1,500:¥20.1366
参考库存:5307
无线和射频半导体
射频放大器
1:¥21.2892
10:¥17.2099
100:¥13.7521
500:¥11.9893
1,000:¥10.6785
参考库存:12849
无线和射频半导体
射频放大器 7-14GHz NF 1.1dB SSGain 26dB
1:¥325.1123
25:¥287.3025
100:¥253.8771
250:¥233.5145
750:¥233.5145
参考库存:6136
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