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无线和射频半导体
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MMBTH10RG

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数量单价合计
1
¥2.9154
2.9154
10
¥1.921
19.21
100
¥0.82264
82.264
1,000
¥0.63732
637.32
3,000
¥0.48364
1450.92
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
MMBTH10RG
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
50
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
0.045 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
40 V
直流电流增益 hFE 最大值
120
高度
0.93 mm
长度
2.92 mm
工作频率
450 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
1.3 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
增益带宽产品fT
450 MHz (Min)
最大直流电集电极电流
0.05 A
Pd-功率耗散
225 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,MMBTH10RG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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250:¥38.1149
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