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无线和射频半导体

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HMC-ALH376

  • Analog Devices
  • 最新
  • 射频放大器 GaAs HEMT WBand lo Noise amp, 35-45 GHz
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频放大器
发货限制:
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
类型
Low Noise Amplifier
技术
GaAs
工作频率
35 GHz to 45 GHz
P1dB - 压缩点
6 dBm
增益
16 dB
工作电源电压
4 V
NF—噪声系数
2 dB
工作电源电流
87 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 85 C
系列
HMC-ALH376
封装
Gel Pack
商标
Analog Devices
通道数量
1 Channel
输入返回损失
10 dB
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
25
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
商品其它信息
优势价格,HMC-ALH376的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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