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无线和射频半导体
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BA479G-TR

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数量单价合计
1
¥3.2318
3.2318
10
¥2.4973
24.973
100
¥1.8645
186.45
500
¥1.5255
762.75
10,000
¥1.00683
10068.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
PIN 二极管
RoHS
Vr - 反向电压
30 V
最大二极管电容
0.5 pF
最大串联电阻(中频最大时)
50 Ohms
If - 正向电流
50 mA
Vf - 正向电压
1 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
最小工作频率
3 MHz
最大工作频率
3 GHz
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
DO-35
封装
Cut Tape
封装
Reel
配置
Single
高度
1.7 mm
长度
3.9 mm
端接类型
Axial
类型
Attenuator
宽度
1.7 mm
商标
Vishay Semiconductors
载流子寿命
4 us
产品类型
PIN Diodes
工厂包装数量
10000
子类别
Diodes & Rectifiers
单位重量
137 mg
商品其它信息
优势价格,BA479G-TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 N-CH -25V 10mA BULK Engineering Hold
5,000:¥2.4182
10,000:¥2.3278
25,000:¥2.2374
参考库存:39183
无线和射频半导体
射频放大器 InGaP HBT Gain Block amp SMT, DC - 5 GHz
500:¥30.6569
1,000:¥25.8205
2,500:¥24.5888
参考库存:39188
无线和射频半导体
射频放大器 DC- 8 GHz 15 dB Gain
500:¥344.2432
参考库存:39193
IDT
无线和射频半导体
射频放大器 F1385 Dual RF Freq Dig VGA
490:¥94.5132
980:¥88.366
参考库存:52340
无线和射频半导体
衰减器 9.0dB +/-0.5dB 50ohm 63mW
1,000:¥71.4612
参考库存:39200
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