HMC313E详细参数_参考价格_HMC313E PDF资料_Analog Devices / Hittite

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-26-6
类型	Gain Block Amplifier
技术	GaAs InGaP
工作频率	6 GHz
P1dB - 压缩点	14 dBm
增益	17 dB
工作电源电压	5 V
NF—噪声系数	6.5 dB
OIP3 - 三阶截点	27 dBm
工作电源电流	50 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC313G
封装	Cut Tape
频率范围	DC to 6 GHz
商标	Analog Devices / Hittite
通道数量	1 Channel
输入返回损失	7 dB
Pd-功率耗散	0.259 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	50
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量	30 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BFU730F,115	NXP Semiconductors	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS	1:¥3.4578 10:¥2.825 100:¥1.7176 1,000:¥1.3334 3,000:¥1.1413	参考库存:16463
MA4P7455CK-287T	MACOM	无线和射频半导体	PDF数据手册	PIN 二极管 Ls=1.4nH Cp=.12pF Cmn Cathode SOT-23	1:¥7.5258 10:¥5.8873 100:¥4.4635 500:¥3.7968 3,000:¥2.486	参考库存:41225
HMC462	Analog Devices / Hittite	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 lo Noise amp Chip, 2 - 20 GHz	25:¥683.4918 100:¥644.6876	参考库存:5357
BFU530AR	NXP Semiconductors	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor	1:¥3.6838 10:¥3.0623 100:¥1.8645 1,000:¥1.4464 3,000:¥1.2317	参考库存:28489
LT5528EUF#PBF	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	调节器/解调器 2GHz Direct Quadrature Modulator	1:¥91.982 25:¥61.0878 100:¥50.4884 250:¥47.9459	参考库存:5871