NBB-300-T1详细参数_参考价格_NBB-300-T1 PDF资料_Qorvo

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频放大器
RoHS	是
类型	General Purpose Amplifier
技术	GaAs InGaP
工作频率	DC to 12 GHz
P1dB - 压缩点	12 dBm
增益	8 dB
工作电源电压	3.9 V
NF—噪声系数	5.1 dB
测试频率	12 GHz to 14 GHz
OIP3 - 三阶截点	27.1 dBm
工作电源电流	50 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
商标	Qorvo
通道数量	1 Channel
开发套件	NBB-300-E
Pd-功率耗散	300 mW
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	1000
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
零件号别名	NBB-300

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
D1007UK	Semelab / TT Electronics	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 40W-28V-500MHz PP	50:¥700.0915 100:¥694.3285	参考库存:32777
PXAC203302FV-V1-R0	Wolfspeed / Cree	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET	250:¥1,121.864	参考库存:32782
ATA3745P3-TGQY	Microchip Technology / Atmel	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频接收器 ASK Rem. Ctrl. Rec. (IF= 600 kHz)	2,000:¥27.12	参考库存:32787
LTC5549IUDB#TRPBF	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频混合器 2GHz to 14GHz Microwave Mixer with Integrated LO Frequency Doubler	2,500:¥86.671	参考库存:32792
PD55008-E	STMicroelectronics	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER TRANS	400:¥88.592 800:¥82.9081 1,200:¥73.9246	参考库存:32797