F1958NBGK详细参数_参考价格_F1958NBGK PDF资料_IDT

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	IDT (Integrated Device Technology)
产品种类	衰减器
RoHS	是
封装 / 箱体	QFN-24
最大衰减	31.75 dB
最大频率	6 GHz
位数	7 bit
通道数量	1 Channel
阻抗	50 Ohms
衰减器步长	0.25 dB
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 105 C
封装	Tray
系列	F1958
类型	Digital Step
商标	IDT
介入损耗	2.6 dB
安装风格	SMD/SMT
最小频率	1 MHz
工作电源电压	3 V to 5.5 V
产品类型	Attenuators
工厂包装数量	490
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
商标名	Glitch-Free

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BAP64-05W-TP	Micro Commercial Components (MCC)	无线和射频半导体	PDF数据手册	PIN 二极管 200mW 100mA, 1.1V	3,000:¥0.76049 9,000:¥0.69156 24,000:¥0.65314 45,000:¥0.58421	参考库存:37204
TDA7708LTR	STMicroelectronics	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频接收器	3,000:¥20.9728	参考库存:37209
NJG1131HA8	NJR	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 UHF Band Low Noise Amp GaAs MMIC	3,000:¥4.8138	参考库存:37214
D2022UK	Semelab / TT Electronics	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 25W-28V-500MHz PP	50:¥827.1035 100:¥804.2888	参考库存:37219
LTC4400-1ES6#TRPBF	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频检测器 Pb-free ThinSOT RF Power Detector & Controller	2,500:¥11.3678 5,000:¥11.0627	参考库存:37224