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无线和射频半导体
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D2022UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 25W-28V-500MHz PP
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¥827.1035
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100
¥804.2888
80428.88
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
5 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
13 dB
输出功率
25 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DQ
配置
Dual
工作频率
500 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
125 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格，D2022UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TGS2352-2-SM
Qorvo
无线和射频半导体
RF 开关 IC .5-12GHz SPDT GaN IL < 1dB
1:¥768.40
25:¥637.772
100:¥537.88
参考库存:5313
F2913NLGK
IDT
无线和射频半导体
RF 开关 IC F2913 PI FOR SP2T ABSORPTIVE RF SWITCH
1:¥34.8831
10:¥31.1202
25:¥27.9675
100:¥25.5154
参考库存:7320
AT86RF215-ZU
Microchip Technology / Atmel
无线和射频半导体
射频收发器 Dual Band IEEE 802.15.4 TRX, 48QFN, Tray
1:¥42.8044
10:¥42.1829
25:¥39.0302
参考库存:6952
BGA 824N6 E6327
Infineon Technologies
无线和射频半导体
射频放大器 RF SILICON MMIC
1:¥5.6839
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
15,000:¥1.921
参考库存:88689
MA4AGSW4
MACOM
无线和射频半导体
RF 开关 IC .05-50GHz SP4T AlGaAs IL .7dB
25:¥180.4158
50:¥164.0534
参考库存:6501
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