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分立半导体

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DMJ70H600SH3

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数量单价合计
1
¥13.0628
13.0628
10
¥11.1418
111.418
100
¥8.9157
891.57
500
¥7.7631
3881.55
1,000
¥6.4636
6463.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
700 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
500 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
18.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
113 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
23 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
75
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
85 ns
典型接通延迟时间
11 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格，DMJ70H600SH3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SIHH14N65EF-T1-GE3
Vishay / Siliconix
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10:¥10.9158
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500:¥7.6049
1,000:¥6.3054
参考库存:40588
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