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BSM100GB120DN2

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1
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1120.2481
5
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5491.348
10
¥1,047.0241
10470.241
25
¥1,025.0456
25626.14
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
200 nA
Pd-功率耗散
800 W
封装 / 箱体
Half Bridge2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
30 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM100GB120DN2HOSA1 SP000100720
商品其它信息
优势价格，BSM100GB120DN2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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