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分立半导体

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FF450R12IE4

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数量单价合计
1
¥2,889.7942
2889.7942
5
¥2,715.6047
13578.0235
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
在25 C的连续集电极电流
450 A
封装 / 箱体
PRIME2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
38 mm
长度
172 mm
宽度
89 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
3
子类别
IGBTs
零件号别名
FF450R12IE4BOSA2 SP000609746
商品其它信息
优势价格,FF450R12IE4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET MOSFET
1:¥8.6784
10:¥7.4128
100:¥5.6952
500:¥5.0285
2,500:¥3.5256
10,000:查看
参考库存:54949
分立半导体
MOSFET 100 Volts 60 Amps 83 Watts
1:¥19.3682
10:¥16.1364
100:¥12.4526
500:¥10.9158
1,000:¥10.3734
3,000:¥10.3734
参考库存:8526
分立半导体
MOSFET P Ch -100Vds 20Vgs
1:¥27.5042
10:¥24.5888
100:¥20.0575
250:¥18.3625
参考库存:14613
分立半导体
MOSFET N-CH 100V 0.009Ohm 16A STripFET VII
1:¥22.2045
10:¥18.9049
100:¥16.3624
250:¥15.5262
3,000:¥11.1418
6,000:查看
参考库存:13900
分立半导体
整流器 Auto ultrafast Recovry Hi VTG diode
1:¥24.0464
10:¥20.4417
100:¥17.7523
250:¥16.8257
1,000:¥12.7577
2,000:查看
参考库存:6592
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