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分立半导体
CSD25202W15T参考图片

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CSD25202W15T

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET 20V PCh NexFET Pwr MOSFET
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数量单价合计
1
¥5.6048
5.6048
10
¥4.6895
46.895
100
¥3.0171
301.71
250
¥3.0171
754.275
1,000
¥2.4182
2418.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DSBGA-9
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
52 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
750 mV
Vgs - 栅极-源极电压
6 V
Qg-栅极电荷
5.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.62 mm
长度
1.5 mm
系列
CSD25202W15
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.5 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
16 S
下降时间
28 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
64 ns
典型接通延迟时间
15 ns
商品其它信息
优势价格,CSD25202W15T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
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15,000:¥0.64523
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20,000:¥0.63054
50,000:¥0.56048
100,000:¥0.52206
参考库存:44120
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