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分立半导体
NTGD3148NT1G参考图片

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NTGD3148NT1G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET NFET 20V 3A 70MOHM TSOP6
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数量单价合计
1
¥3.7629
3.7629
10
¥2.8702
28.702
100
¥1.5481
154.81
1,000
¥1.1639
1163.9
3,000
¥0.99892
2996.76
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
3.5 A
Rds On-漏源导通电阻
70 mOhms, 70 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
3.8 nC, 3.8 nC
最小工作温度
- 50 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.94 mm
长度
3 mm
产品
MOSFET Small Signal
晶体管类型
2 N-Channel
类型
Power Trench MOSFET
宽度
1.5 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
6.2 S, 6.2 S
下降时间
1.6 ns, 1.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11.2 ns, 11.2 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12.8 ns, 12.8 ns
典型接通延迟时间
7.4 ns, 7.4 ns
单位重量
20 mg
商品其它信息
优势价格,NTGD3148NT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
SCR 6A 800V
1:¥10.0683
10:¥7.9891
100:¥6.1811
500:¥5.4579
1,000:¥4.3053
2,500:¥4.3053
参考库存:13656
分立半导体
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
1:¥24.0464
10:¥19.8993
100:¥16.4415
250:¥15.9104
1,000:¥15.9104
参考库存:5523
分立半导体
肖特基二极管与整流器 3.0 Amp 40 Volt 120 Amp IFSM
1:¥3.842
10:¥2.5877
100:¥1.7402
500:¥1.4012
1,400:¥1.05316
参考库存:51065
分立半导体
MOSFET NFET 60V 20A 48MOHM
1:¥8.5315
10:¥7.2659
100:¥5.5822
500:¥4.9381
2,500:¥3.4465
10,000:查看
参考库存:11072
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP -65V -100mA HFE/220
1:¥1.7628
10:¥1.1978
100:¥0.49946
1,000:¥0.34578
参考库存:183424
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