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分立半导体
IPD50N08S413ATMA1参考图片

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IPD50N08S413ATMA1

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数量单价合计
1
¥7.458
7.458
10
¥6.3845
63.845
100
¥4.9042
490.42
500
¥4.3392
2169.6
2,500
¥3.0397
7599.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
11.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
30 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
72 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
11.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.6 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6.4 ns
典型接通延迟时间
5 ns
零件号别名
IPD50N08S4-13 SP000988948
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPD50N08S413ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 26 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
1:¥37.5725
10:¥31.9677
100:¥27.6624
250:¥26.2838
参考库存:4585
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥3.2996
10:¥2.712
100:¥1.6498
1,000:¥1.2769
3,000:¥1.09158
参考库存:30707
分立半导体
稳压二极管 1000mW Pd SOD-128 PMDTM 27Vz(V) Min
1:¥2.9154
10:¥2.2035
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
参考库存:33259
分立半导体
MOSFET MV7 N Channel Power Trench MosFET
1:¥8.1473
10:¥6.9156
100:¥5.3788
500:¥4.7686
3,000:¥3.2996
9,000:查看
参考库存:18611
分立半导体
MOSFET MOSFET_(20V,40V)
1:¥6.3732
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
5,000:¥2.2939
参考库存:33983
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