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分立半导体
DMN65D8LFB-7参考图片

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DMN65D8LFB-7

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • MOSFET 60V N-Ch Dual Enh 20Vgss 300mW Pd
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数量单价合计
1
¥2.4634
2.4634
10
¥1.6272
16.272
100
¥0.68365
68.365
1,000
¥0.46104
461.04
3,000
¥0.3616
1084.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
X1-DFN1006-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
400 mA
Rds On-漏源导通电阻
3 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
-
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
430 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN65D
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
-
下降时间
6.29 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.15 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12.025 ns
典型接通延迟时间
3.27 ns
单位重量
1 mg
商品其它信息
优势价格,DMN65D8LFB-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 AF SCHOTTKY DIODE
1:¥2.9945
10:¥2.1583
100:¥0.99101
1,000:¥0.76049
3,000:¥0.65314
参考库存:99050
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肖特基二极管与整流器 8.0 Amp 100 Volt
1:¥5.2997
10:¥4.0906
100:¥3.0397
500:¥2.4973
6,500:¥1.6498
参考库存:108982
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 15V NPN SuperSOT4
1:¥4.7686
10:¥3.9776
100:¥2.4182
1,000:¥1.8758
3,000:¥1.5933
参考库存:17904
分立半导体
MOSFET 30V Integrated N-Ch PT MOSFET-Schtky Dio
1:¥9.605
10:¥8.2264
100:¥6.2715
500:¥5.5483
1,000:¥4.3844
2,500:¥4.3844
参考库存:39246
分立半导体
双向可控硅 Thyristor TRIAC 800V 105A 3-Pin (2+Tab)
1:¥8.2942
10:¥6.78
100:¥5.2093
500:¥4.5991
800:¥3.6386
参考库存:9953
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