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DMN7022LFG-13参考图片

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DMN7022LFG-13

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • MOSFET 75V N-Ch Enh FET 20Vgs 10.5A 2737pF
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¥2.2939
6881.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI3333-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
7.8 A
Rds On-漏源导通电阻
14.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
26.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
900 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
系列
DMN70
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
3.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.7 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19.6 ns
典型接通延迟时间
6.1 ns
单位重量
72 mg
商品其它信息
优势价格，DMN7022LFG-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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