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分立半导体
RQ3E070BNTB参考图片

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RQ3E070BNTB

  • ROHM Semiconductor
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  • MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
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数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.3956
23.956
100
¥1.10627
110.627
1,000
¥0.84524
845.24
3,000
¥0.72207
2166.21
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
HSMT-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
20 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
8.9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
4 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
6 ns
零件号别名
RQ3E070BN
单位重量
5.577 g
商品其它信息
优势价格,RQ3E070BNTB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 30V 2.5% 150mW FLT LD 0.8x1.6mm
1:¥1.7628
10:¥1.1639
100:¥0.54579
500:¥0.41471
3,000:¥0.25312
9,000:查看
参考库存:50538
分立半导体
整流器 1.0A 600V
1:¥2.8476
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
5,000:¥0.46104
参考库存:9755
分立半导体
桥式整流器 RECT BRIDGE 25A 100V
1:¥12.6786
10:¥10.2152
100:¥7.8422
500:¥6.893
参考库存:2812
分立半导体
稳压二极管 1W, 100V, ZENER
1:¥5.4579
10:¥3.1527
100:¥2.5425
500:¥1.5029
1,800:¥1.00683
9,000:查看
参考库存:19729
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 200MW 22K 47K
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:6131
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