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分立半导体
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CSD18513Q5A

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数量单价合计
1
¥8.2264
8.2264
10
¥6.9947
69.947
100
¥5.3901
539.01
500
¥4.7686
2384.3
2,500
¥3.3335
8333.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
4.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
59 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
96 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD18513Q5A
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.9 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
89 S
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21 ns
典型接通延迟时间
6 ns
商品其它信息
优势价格,CSD18513Q5A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 0.3A IC 20V Gen Purp Trans
1:¥3.5369
10:¥2.0566
100:¥0.96841
1,000:¥0.7458
3,000:¥0.61472
参考库存:3230
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 1A 400V TR
1:¥4.9155
10:¥4.0228
100:¥2.4634
1,000:¥1.8984
2,500:¥1.6159
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分立半导体
MOSFET N-Ch U-MOSVI FET ID 6A 30VDSS 340pF
1:¥4.1471
10:¥2.3956
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
3,000:¥0.72207
参考库存:57404
分立半导体
稳压二极管 375MW 6.8V
1:¥2.3843
10:¥1.6272
100:¥0.68365
1,000:¥0.46104
3,000:¥0.3616
参考库存:30566
分立半导体
稳压二极管 68V 3W
1:¥3.4578
10:¥2.4295
100:¥1.11418
1,000:¥0.86106
2,500:¥0.72998
参考库存:55593
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