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分立半导体
CSD25211W1015参考图片

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CSD25211W1015

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET PCh NexFET Power MOSFET
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数量单价合计
1
¥4.0002
4.0002
10
¥3.2996
32.996
100
¥2.034
203.4
1,000
¥1.5707
1570.7
3,000
¥1.3334
4000.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DSBGA-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
3.2 A
Rds On-漏源导通电阻
44 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
6 V
Qg-栅极电荷
3.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.625 mm
长度
1.5 mm
系列
CSD25211W1015
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
12 S
下降时间
14.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
36.9 ns
典型接通延迟时间
13.6 ns
单位重量
1.700 mg
商品其它信息
优势价格，CSD25211W1015的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1SMA5918BT3G
ON Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 5.1V 0.5W
1:¥3.5369
10:¥2.4747
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
5,000:¥0.7458
参考库存:107980
PIMN31,115
Nexperia
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 DOUBLE RET
1:¥3.4578
10:¥2.4408
100:¥1.12209
1,000:¥0.86106
3,000:¥0.73789
参考库存:169287
VP2206N2
Microchip Technology
分立半导体
MOSFET 60V 0.9Ohm
1:¥103.6549
10:¥102.1972
25:¥94.9765
100:¥92.2871
参考库存:7014
MMBF5457
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
JFET N-Channel Transistor General Purpose
1:¥2.6894
10:¥2.0566
100:¥1.11418
1,000:¥0.83733
3,000:¥0.72207
9,000:¥0.67574
参考库存:303596
BZX884-B15,315
Nexperia
分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT
1:¥3.0736
10:¥1.9549
100:¥0.84524
1,000:¥0.64523
10,000:¥0.43844
20,000:查看
参考库存:242008
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