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分立半导体
BSS84WQ-7-F参考图片

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BSS84WQ-7-F

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • MOSFET P-Ch -50V Enh FET 10Ohm -5Vgs -130mA
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数量单价合计
1
¥2.8476
2.8476
10
¥2.0566
20.566
100
¥0.94468
94.468
1,000
¥0.72207
722.07
3,000
¥0.61472
1844.16
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Id-连续漏极电流
130 mA
Rds On-漏源导通电阻
10 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
200 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
BSS84
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
0.05 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
5 mg
商品其它信息
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MOSFET MOSFET - Lead Free
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10:¥54.9406
25:¥50.0251
50:¥46.33
参考库存:33045
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