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分立半导体
FDG312P参考图片

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FDG312P

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数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.5538
25.538
100
¥1.5594
155.94
1,000
¥1.2091
1209.1
3,000
¥1.02943
3088.29
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
1.2 A
Rds On-漏源导通电阻
135 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
750 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
FDG312P
晶体管类型
1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.25 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
3.8 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns
典型接通延迟时间
7 ns
零件号别名
FDG312P_NL
单位重量
28 mg
商品其它信息
优势价格,FDG312P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
桥式整流器 . .
1:¥6.6105
10:¥5.4579
100:¥4.5539
500:¥3.5143
1,000:¥3.1753
参考库存:12098
分立半导体
MOSFET MOSFET P-Channel 2.9 mOhm -30V -160A
1:¥17.3681
10:¥14.7578
100:¥11.8311
500:¥10.2943
4,800:¥7.684
9,600:查看
参考库存:27410
分立半导体
整流器 SI STND RECOV DO-8 200-1000V 150A 200PV
1:¥296.06
5:¥287.8449
10:¥275.9347
20:¥256.0354
参考库存:3507
分立半导体
MOSFET SUPERFET3 650V TO247
1:¥71.077
10:¥64.2405
25:¥61.246
100:¥53.1778
参考库存:7889
分立半导体
整流器 200V 300A Std. Recovery
1:¥433.6827
5:¥421.0041
10:¥408.1786
20:¥382.505
参考库存:3526
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