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分立半导体
QPD1015L参考图片

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QPD1015L

  • Qorvo
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  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
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数量单价合计
1
¥1,037.34
1037.34
25
¥899.028
22475.7
100
¥776.084
77608.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
20 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Vgs-栅源极击穿电压
145 V
Id-连续漏极电流
2.5 A
输出功率
70 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
64 W
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
NI-360
封装
Tray
配置
Single
工作频率
3.7 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
系列
QPD
商标
Qorvo
开发套件
QPD1015LPCB401
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.8 V
商品其它信息
优势价格,QPD1015L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
1:¥58.8617
10:¥53.1778
25:¥50.7144
100:¥44.0248
参考库存:2523
分立半导体
MOSFET MOSFET N CH 60V 195A TO-220AB
1:¥22.4418
10:¥19.0518
100:¥16.5206
250:¥15.6731
500:¥14.0572
参考库存:12185
分立半导体
MOSFET N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected
1:¥11.3678
10:¥9.6841
100:¥7.4354
500:¥6.5766
参考库存:18132
分立半导体
MOSFET 30V 25A 0.0042Ohm
1:¥14.5205
3,000:¥14.5205
参考库存:24224
分立半导体
MOSFET 20 Volt 14 Amp 3.0W
1:¥20.5208
10:¥17.063
100:¥13.221
500:¥11.526
1,000:¥9.5259
2,500:¥9.5259
参考库存:41986
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