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分立半导体
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VP0106N3-G P002

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数量单价合计
1
¥7.5258
7.5258
10
¥6.3054
63.054
25
¥5.2206
130.515
100
¥4.7686
476.86
2,000
¥3.0736
6147.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
250 mA
Rds On-漏源导通电阻
15 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
产品
MOSFET Small Signal
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Microchip Technology
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
8 ns
典型接通延迟时间
4 ns
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格，VP0106N3-G P002的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N821AUR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
1:¥48.1832
10:¥38.646
25:¥38.0358
100:¥35.2673
参考库存:1644
PB4008-E3/45
Vishay Semiconductors
分立半导体
桥式整流器 40A,800V Enhanced Power Bridge
1:¥25.4363
10:¥21.0519
100:¥17.3681
250:¥16.8257
500:¥15.0629
参考库存:13231
T610T-8T
STMicroelectronics
分立半导体
双向可控硅 Logic Level 6A TRIAC
1:¥8.0682
10:¥6.8704
100:¥5.2658
500:¥4.6669
参考库存:11068
IGW50N65F5AXKSA1
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥47.1775
10:¥42.6462
25:¥40.7252
100:¥35.3464
参考库存:2700
IAUS300N08S5N014ATMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET OptiMOS -5 Power-Transistor
1:¥48.5674
10:¥43.957
25:¥41.8778
100:¥36.3408
参考库存:10502
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