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分立半导体
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IAUS300N08S5N014ATMA1

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数量单价合计
1
¥48.5674
48.5674
10
¥43.957
439.57
25
¥41.8778
1046.945
100
¥36.3408
3634.08
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
HSOG-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
300 A
Rds On-漏源导通电阻
2.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
187 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
46 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
1800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
52 ns
典型接通延迟时间
25 ns
零件号别名
IAUS300N08S5N014 SP001792358
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N821AUR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
1:¥48.1832
10:¥38.646
25:¥38.0358
100:¥35.2673
参考库存:1644
PB4008-E3/45
Vishay Semiconductors
分立半导体
桥式整流器 40A,800V Enhanced Power Bridge
1:¥25.4363
10:¥21.0519
100:¥17.3681
250:¥16.8257
500:¥15.0629
参考库存:13231
T610T-8T
STMicroelectronics
分立半导体
双向可控硅 Logic Level 6A TRIAC
1:¥8.0682
10:¥6.8704
100:¥5.2658
500:¥4.6669
参考库存:11068
IGW50N65F5AXKSA1
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥47.1775
10:¥42.6462
25:¥40.7252
100:¥35.3464
参考库存:2700
IAUS300N08S5N014ATMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET OptiMOS -5 Power-Transistor
1:¥48.5674
10:¥43.957
25:¥41.8778
100:¥36.3408
参考库存:10502
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