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分立半导体
SQ2309ES-T1_GE3参考图片

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SQ2309ES-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 60V -1.7A 2W AEC-Q101 Qualified
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数量单价合计
1
¥4.3844
4.3844
10
¥3.3335
33.335
100
¥2.4747
247.47
500
¥2.034
1017
1,000
¥1.5707
1570.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-236-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
1.7 A
Rds On-漏源导通电阻
268 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
8.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
1.8 S
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
5 ns
单位重量
12 mg
商品其它信息
优势价格,SQ2309ES-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 40V 90A 2.5mOhm 89nC StrongIRFET
1:¥9.0626
10:¥7.7631
100:¥5.9664
500:¥5.2771
2,000:¥3.6951
10,000:查看
参考库存:3976
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R 1K
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
参考库存:5623
分立半导体
整流器 2.0 Amp 200 Volt 14
1:¥3.7629
10:¥2.9041
100:¥2.1583
500:¥1.7628
1,000:¥1.3673
1,800:¥1.3673
参考库存:145095
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 NPN/NPN Resistor Equipped Transistor
1:¥2.147
10:¥1.5029
100:¥0.63054
1,000:¥0.43053
10,000:¥0.28476
20,000:查看
参考库存:54687
分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT
1:¥3.2996
10:¥2.1696
100:¥0.9379
1,000:¥0.71416
10,000:¥0.48364
20,000:查看
参考库存:102674
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