您好!欢迎来到隆乾胜芯城 登录 注册

产品分类

分立半导体
AGR09030EF参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

AGR09030EF

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • *联系人:
  • *电话:
  • QQ:
  • *邮箱:
 公司名:  微信:
库存:40,300(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥507.144
507.144
10
¥422.62
4226.2
25
¥380.358
9508.95
50
¥338.096
16904.8
询价数量:
加入询价单立即询价
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
4.25 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
封装
Tray
配置
Single
工作频率
895 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
80 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
商品其它信息
优势价格,AGR09030EF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET MOSFT 100V 75A 14mOhm 110nC
1:¥20.2835
10:¥17.289
100:¥13.8312
500:¥12.0684
1,000:¥9.9892
参考库存:16758
分立半导体
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥32.9621
10:¥28.0466
100:¥24.2837
250:¥23.052
3,000:¥16.5206
参考库存:19165
分立半导体
MOSFET T8 80V 1 PART PROLI FERATI
1:¥10.8367
10:¥9.2208
100:¥7.1077
500:¥6.2828
1,500:¥4.3957
9,000:查看
参考库存:11667
分立半导体
MOSFET N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
1:¥21.0519
10:¥17.8314
100:¥14.2945
500:¥12.5204
参考库存:18919
分立半导体
分立半导体模块 400 Volt 75 Amp 1570 Amp IFSM
1:¥298.0601
5:¥284.6131
10:¥275.7765
25:¥253.4138
参考库存:4421
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市隆乾胜科技有限公司

电话:0755-82331103

手机:13048971103

传真:0755-82331102

Email:1531762882@qq.com

Q Q:

地址:深圳市福田区南园路66号佳兆业中心B座2F


微信联系我们

Copyright © 2010-2021 深圳市隆乾胜科技有限公司 粤ICP备2021106032号