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分立半导体
IRFB4710PBF参考图片

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IRFB4710PBF

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数量单价合计
1
¥20.2835
20.2835
10
¥17.289
172.89
100
¥13.8312
1383.12
500
¥12.0684
6034.2
1,000
¥9.9892
9989.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
75 A
Rds On-漏源导通电阻
11 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
110 nC
Pd-功率耗散
200 W
配置
Single
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001556118
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRFB4710PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT TAPE-7
1:¥4.1471
10:¥3.4691
100:¥2.1244
1,000:¥1.6385
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10:¥7.2659
100:¥5.5822
500:¥4.9381
2,500:¥3.4578
10,000:查看
参考库存:53144
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1:¥5.1528
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100:¥2.7911
1,000:¥2.2374
3,000:¥2.2374
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分立半导体
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1:¥6.4523
10:¥5.4127
100:¥3.4917
1,000:¥2.8024
2,500:¥2.3617
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分立半导体
整流器 2x8 Amp 600 Volt
1:¥12.3735
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.1642
参考库存:8075
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