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分立半导体
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BSL207N H6327

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数量单价合计
1
¥4.1471
4.1471
10
¥3.4691
34.691
100
¥2.1244
212.44
1,000
¥1.6385
1638.5
3,000
¥1.4012
4203.6
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
2.1 A
Rds On-漏源导通电阻
58 mOhms, 58 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
700 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
2.1 nC, 2.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3 mm
系列
BSL207
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
1.5 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
7 S, 7 S
下降时间
2.4 ns, 2.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.8 ns, 2.8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns, 11 ns
典型接通延迟时间
5.4 ns, 5.4 ns
零件号别名
BSL207NH6327XTSA1 SP001100648
商品其它信息
优势价格，BSL207N H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VSSAF510HM3/I
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 5A, 100V,SlimSMA AEC-Q101 Qualified
14,000:¥0.89157
28,000:¥0.82264
参考库存:38925
IFF600B12ME4S8PB11BOSA1
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 Description:
6:¥1,917.158
12:¥1,869.5172
30:¥1,843.3125
参考库存:38930
SMBJ5928AE3/TR13
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
3,000:¥4.7912
6,000:¥4.6895
9,000:¥4.6104
参考库存:38935
STP26N65DM2
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET
1:¥22.3627
10:¥18.984
100:¥16.4415
250:¥15.594
参考库存:1912
UES1302E3/TR
Microsemi
分立半导体
整流器
100:¥157.9062
200:¥144.8434
500:¥137.9278
参考库存:38942
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