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分立半导体
SQ2364EES-T1_GE3参考图片

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SQ2364EES-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-23; 4A Id
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数量单价合计
1
¥4.7686
4.7686
10
¥3.6612
36.612
100
¥2.712
271.2
500
¥2.2261
1113.05
3,000
¥1.5707
4712.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
2 A
Rds On-漏源导通电阻
240 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
460 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
2.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
8.8 S
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26 ns
典型接通延迟时间
6 ns
商品其它信息
优势价格，SQ2364EES-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BT155K-1200TQ
WeEn Semiconductors
分立半导体
SCR BT155K-1200T/TO3P/STANDARD MAR
900:¥13.0628
1,350:¥10.8367
2,700:¥10.0683
5,400:¥9.6841
参考库存:38074
VS-30CTQ045HN3
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky - TO-220-e3
1,000:¥7.684
3,000:¥7.1529
5,000:¥6.893
10,000:¥6.6218
参考库存:38079
S2B-M3/52T
Vishay / Siliconix
分立半导体
整流器 1.5A, 100V, GPP, VGSC-STD, SM, RECT
13,500:¥0.64523
25,500:¥0.60681
参考库存:38084
CD6345
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
1:¥21.6734
10:¥17.4472
100:¥13.9894
250:¥13.221
参考库存:38089
1N3024B-1E3
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
116:¥61.698
250:¥56.7034
500:¥51.7088
1,000:¥45.0305
参考库存:38094
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