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分立半导体
STB24N60DM2参考图片

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STB24N60DM2

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
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数量单价合计
1
¥23.3571
23.3571
10
¥19.8202
198.202
100
¥17.2099
1720.99
250
¥16.2946
4073.65
500
¥14.6787
7339.35
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
18 A
Rds On-漏源导通电阻
200 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
29 nC
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
商标名
FDmesh
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STB24N60DM2
商标
STMicroelectronics
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.7 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
60 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STB24N60DM2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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