SISS22DN-T1-GE3详细参数_参考价格_SISS22DN-T1-GE3 PDF资料_Vishay / Siliconix

分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Vishay
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	PowerPAK-1212-8S
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	60 V
Id-连续漏极电流	90.6 A
Rds On-漏源导通电阻	4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	2 V
Vgs - 栅极-源极电压	20 V
Qg-栅极电荷	44 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	65.7 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
商标名	TrenchFET, PowerPAK
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
系列	SIS
晶体管类型	1 N-Channel TrenchFET Power MOSFET
商标	Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值	50 S
下降时间	6 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	6 ns
工厂包装数量	3000
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	20 ns
典型接通延迟时间	12 ns

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
STP18N65M2	STMicroelectronics	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package	1:¥15.368 10:¥13.0628 100:¥10.4525 500:¥9.1417	参考库存:7128
GBPC12005-E4/51	Vishay Semiconductors	分立半导体	PDF数据手册	桥式整流器 12 Amp 50 Volt	1:¥33.8096 10:¥28.0466 100:¥23.052 200:¥22.3627	参考库存:4775
MBRS10H100CT RN	Taiwan Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	肖特基二极管与整流器 10 Amp 100 Volt Dual	1:¥7.7631 10:¥6.8365 25:¥6.2037 100:¥5.4353 800:¥3.3222 2,400:查看	参考库存:7497
KBL405G T0	Taiwan Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	桥式整流器 4.0 Amp 600 Volt 150 Amp IFSM	1:¥7.7631 10:¥7.1416 100:¥5.4918 500:¥4.068	参考库存:9949
SF38G R0	Taiwan Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	整流器 3.0 Amp 600V 35ns	1:¥4.0002 10:¥3.3787 100:¥2.5312 500:¥1.8645 1,250:¥1.4012 2,500:¥1.2882	参考库存:12136